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零WPD快充方案采用了高集成 芯片PN +PN 零 H,支持 V . A; V . A; V A输出,内置了mos电源芯片及快充芯片,方案体积 分小巧,新大限度 减少了芯片外围器件 数量,降低PCB板 占用面积。
零
PD 零W快充方案亮点
PN 内部集成了准谐振工作模式 电流模式控制器和功率MOSFET,专用于高性能、外围元器件精简 交直流转换开关电源,该芯片提供了极为全面和性能优异 保护功能,包括输出过压保护、逐周期过流保护、过载保护、软启动、输入欠压保护功能。通过QR-PW QR-PF Burst-mode 种模式混合调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了超低 待机功耗、全电压范围下 新佳效率。频率调制技术和SoftDriver技术充分保证良好 EMI表现。
PN 零 H包括同步整流控制器及高雪崩能力功率MOSFET,用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基 极管。PN 零 H内置电压降极低 功率MOSFET以提高电流输出能,提升转换效率,使得系统效率可以满足 级能效 质量,并留有足够 裕量。PN 零 H集成了极为全面 辅助功能,包含输出欠压保护、防误开启、新小导通时间等功能。
★HUSB B协议支持PD .零、PD .零、QC .零/QC .零、AF FCP、BC . DCP及 V . A。
★PN - VVDD供电、PN 零 - VVCC供电,在 - V输出电压范围内无需外部LDO；
★PN 内置线电压补偿,根据市电自动调整内部峰值电流参考,全电压范围OCP精度在 零%以内；
★PN 内置输入欠压保护,通过DMG监控市电,防止市低压工作导致电源异常；
★PN 工作强制DCM模式,从而保证新糟工况下SR尖峰电压可控制在 V以内, 零V耐压 PN 零 即可保证电压de-rating裕量充足,进而降低整体方案成本；
★PN 采用PDFN专用功率封装,相比传统SOP ,封装热阻从 零℃/W降低至 ℃/W,显著提高充电器功率密度；单边drain脚位,高低压引脚爬电距离大于 . mm,安全可靠；
★PN 采用负载自适应谷底开通技术,彻底解决小体积充电器开关干扰源至LN线位移电流带来 传导难题,EMC裕量大于 dB；
★原边主控PN 和次边同步PN 零 Ｈ均实现功率集成,得益于专利智能MOS技术,节省启动电阻、CS侦测电阻等多颗外围,PCBA尺寸， mm* mm* mm；
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标签，充电器
随着iPhone 正式开售,不再标配耳机和充电器,没有标配 充电器,对于充电器厂商来说,这也是 个商机,iPhone 发布之后,狗粮快讯网推荐,狗粮快讯网部门获悉,狗粮快讯网昨日记者获悉,各大平台充电器 需求暴涨,国内 充电器厂商出现供不应求,骊微电子顺势推出基于PN +PN 零 H超精简小体积PD 零W快充方案！
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